检测项目
1.化学成分分析：Hf含量≥99.95%，N含量18.5-20.5wt%，杂质元素（O≤0.3%、C≤0.1%、Fe≤50ppm）
2.晶体结构表征：立方相占比≥98%，晶格常数a=4.520.02，择优取向（111）面占比＞85%
3.薄膜厚度测量：10nm-5μm范围精度0.5nm（＜100nm）或1%（＞100nm）
4.表面形貌分析：表面粗糙度Ra≤2nm（1μm1μm扫描区域），颗粒尺寸分布D50=305nm
5.电学性能测试：电阻率0.1-10Ωcm（25℃），介电常数≥22（1MHz），击穿场强＞5MV/cm
检测范围
1.半导体器件用HfN薄膜（栅极介质层/扩散阻挡层）
2.超硬涂层材料（切削刀具/模具表面镀层）
3.高温结构陶瓷（涡轮叶片/燃烧室衬里）
4.光学镀膜材料（红外窗口/激光反射镜）
5.溅射靶材（纯度≥99.95%，密度≥12.5g/cm）
检测方法
1.GB/T17359-2012《微束分析能谱法定量分析》用于化学成分测定
2.ASTME975-13《X射线衍射残余应力测定标准方法》分析晶体结构
3.ISO14706:2014《表面化学分析-全反射X射线荧光光谱法测定硅片表面金属杂质》
4.GB/T16594-2008《微米级长度的扫描电镜测量方法》表征微观形貌
5.IEC62631-3-1:2016《介质材料介电性能测量方法》评估电学参数
检测设备
1.ThermoScientificARLPERFORM'XX射线荧光光谱仪（元素定量分析）
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪（晶体结构解析）
3.ZeissMerlinCompact场发射扫描电镜（纳米级形貌观测）
4.KeysightB1500A半导体参数分析仪（电学特性测试）
5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪（应力与相变分析）
6.Agilent5500原子力显微镜（表面粗糙度测量）
7.NetzschLFA467HyperFlash激光导热仪（热导率测试）
8.MTSNanoIndenterG200纳米压痕仪（硬度与模量测定）
9.PerkinElmerLambda1050紫外可见近红外分光光度计（光学性能分析）
10.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP-OES（痕量杂质检测）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
